Please use Google Chrome Browser
X
Views:459
近日,MIT的研究人员用NbSe2-hBN-NbSe2异质结构做平行板电容,和将hBN直接盖在叉指电容上,以及单纯的叉指电容做对比,得到其在低温单光子水平的损耗角正切在1E-6量级。
Previous:韩国研究人员开发出世界上最小的量子随机数发生器芯片
Next:中科大潘建伟团队在量子纠错方面取得重要进展