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六方氮化硼(hBN)作为超导量子电路的低损耗电介质
Post time:2021-09-15 Poster: 量妹

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近日,MIT的研究人员用NbSe2-hBN-NbSe2异质结构做平行板电容,和将hBN直接盖在叉指电容上,以及单纯的叉指电容做对比,得到其在低温单光子水平的损耗角正切在1E-6量级。